2012年11月30日至12月1日，中国科学院上海应用物理研究所上海市低温超导高频腔技术重点实验室对ADS专项超导直线加速器注入器中的首台HWR超导腔成功进行了垂直测试。ADS专项由中国科学院近代物理研究所承担，其中超导腔由近代物理研究所委托上海应用物理研究所上海市低温超导高频腔技术重点实验室开展表面处理和垂直测试，这一环节在超导腔研制中至关重要。在仅仅35天内，低温超导高频腔技术重点实验室科研人员不畏困难、勇于拼搏、团结合作、不懈努力，顺利完成了包括化学抛光、超声波清洗、高温退火和超净间装配等表面处理流程，自主设计了极具难度的超大量程可调输入耦合器，保证了在测试中的铌腔耦合度足够范围内的调节，最终成功完成了垂直测试。测试过程中该腔真空性能良好达1E-9mbar，无低温泄漏，利用高功率脉冲老炼终于克服了该腔型低场区严重的二次电子发射。该超导腔的表面处理和垂直测试的成功开展在国内均属首次。

继本实验室2010年7月完成我国首次500MHz单cell超导铌腔的垂直测试后，此次实验的成功再次验证了上海应用物理研究所上海市低温超导高频腔技术重点实验室已具备了进行超导腔的设计、研制和测试的能力，标志着上海应用物理研究所建设的超导高频技术平台日趋成熟，超导腔表面处理技术和垂直测试技术已在国内处于领先水平。

测试专家组由中国科学院上海应用物理研究所、北京大学、哈尔滨工业大学、美国汤姆逊杰弗逊实验室、中国科学院近代物理研究所、中国科学院高能物理研究所的专家组成。最终结果表明，在克服低场区的二次电子倍增后，该腔加速性能达到Q0>3E8@4.9MV/m。（加速器物理部供稿）