上海同步辐射光源

光束线介绍学科应用领域

上海光源软X射线干涉光刻（XIL）线站建成于2012年，是上海光源“软X射线谱学显微光束线站”的分支线，二者共用光源和前端区。X射线干涉光刻（XIL）技术是利用两束或多束相干X光束的干涉条纹对光刻胶进行曝光的新型先进微、纳加工技术，可以开展几十甚至十几个纳米周期的纳米结构加工。与其他光刻等方法相比，XIL技术具有分辨率高、无邻近效应、无污染、产出高等优点，可以更可靠地获得大面积、高质量的亚50nm的高密度周期性纳米结构。软X射线干涉光刻分支线站的建设，旨在利用利用软X射线低发射度、高亮度和高相干性的优点，在上海光源建立一个高效率、低成本、高精度的纳米加工技术平台。

XIL分支线站的建设，旨在在上海光源建立一个高效率、低成本、高精度的纳米加工技术平台，满足EUV光刻技术研发、纳米光学、纳光电子器、X射线探测器、纳米磁学、生物分子自组装及工业应用领域的用户在纳米结构制备、组装方面的迫切需要。

EUV光刻胶检测表面增强拉曼散射（SERS）研究自溯源参考物质制备

光束线布局和构成光束线详细参数

软X射线干涉光刻线站（BL08U1B）是原有软X扫描投射显微谱学线站（BL08U1A）的分支线，二者共用同一前端区和光源。下图为XIL分支光束线光学布局示意图。它由插入式光束偏转系统、精密狭缝系统及超高真空系统组成。该束线将工作于光栅分束衍射XIL模式。

XIL分支线光学布局示意图

实验室布局和构成主要实验方法实验站主要设备实验条件样品准备方法数据采集及处理

XIL技术是利用两束或多束相干X射线的干涉条纹来获得用户所需要的纳米周期结构的光刻技术。需指出的是，我们所获得的干涉条纹都是在“光刻胶“这一特定物质上实现的。用户在特定衬底上所需的图形结构一般需进行后续的图形转移来完成。

目前我们采用的实验方法有:

两光栅/多光栅干涉:主要在光刻胶上获得一维线性周期结构和二维周期点阵或孔洞结构,目前可实现的图形周期范围70nm-1000nm；

大面积图形拼接:利用曝光样品前的OSA位移拼接台,可实现大面积(厘米量级)图形结构拼接；

宽带泰保光刻技术:利用光栅的自成像效应,我们在XIL已实现宽带泰保光刻, 目前可实现的二维图形周期范围70nm-1000nm；图形占空比最小可达1:10。

XIL线站有实现100nm曝光的在线曝光功能，为了配合后续的样品加工及制备，XIL线站配备有专门的后处理实验室。主要有甩胶机、电子束光刻机、紫外光刻机、电子束蒸镀机、ICP刻蚀机等加工设备以及测量结构深度的原子力显微镜等。以上设备均对用户开放。

ICP刻蚀机电子束蒸镀机电子束曝光机

线站用户成果highlight 用户成果列表或链接

软X射线干涉光刻（XIL）分支光束线站（BL08U1B）

文章：Developments at SSRF in soft X-ray interference lithography

http://www.j.sinap.ac.cn/nst/EN/10.13538/j.1001-8042/nst.26.010101

姓名	分工	地点	电话
软X射线谱学显微光束线/实验站(BL08U1 B)
赵俊	用户联系人	综合科研楼523房间	021-20304839
实验站		实验大厅	021-20304971