1. 两光栅/多光栅干涉
主要在光刻胶上获得一维线性周期结构和二维周期点阵或孔洞结构,目前可实现的图形周期范围30nm-1000nm。
图2 软X射线干涉光刻原理
2. 泰保光刻
利用光栅的自成像效应对光刻胶进行曝光。
图3 泰保光刻原理
3. 大面积拼接干涉光刻
基于高次谐波对准技术的大面级拼接曝光技术，可快速实现面积为平方厘米量级样品的制备。
图4 大面积拼接干涉光刻装置及曝光样品
4. 极紫外光刻胶光刻性能检测
应用于极紫外光刻胶的光刻性能（分辨率、线边缘粗糙度和灵敏度）检测，是国际公认的评价光刻胶潜力的金标准。
图5 不同分辨条件下（25nm,19nm和15nm）的光刻胶光刻性能检测
5. 自溯源纳米标准物质的制备
制备出国际先进水平的106.4纳米节距标准物质，获得国家一级纳米标物证书，填补了我国300nm尺度以下有证光栅标准物质的空白。
图6 采用软X射线干涉光刻制备的106.4nm节距光栅和获得的国家一级标物证书
6. 微纳加工支持
采用软X射线干涉光刻技术为用户提供微纳米周期性结构的样品。
图7 制备在不同衬底材料上的微纳周期性结构样品
附件下载：