样品大小尽量保证在mm量级，要求导电的单晶或者薄膜；
单晶样品准备
因实验在超高真空环境下进行，因此严禁任何有可能破坏真空环境的物质进入腔体，严禁不戴手套触摸任何实验工具。实验人员应向线站值班人员说明测试样品的种类，严禁私自测试未经允许的样品。
1.清洗：清洗样品托及合适尺寸的样品台，陶瓷棒与铜丝，一般清洗流程为：乙醇——丙酮——乙醇，每次各进行超声清洗10min。
2.压铟：截取长度合适的铟丝，置于样品托与样品台之间，拧紧样品台与样品托之间的螺纹。
3.配胶：一般选用真空银胶（型号：H220），配比为重量比银胶：粘合剂=200：7。如若样品较难解离也可尝试torr seal，配比为体积比A:B=2:1。
4.粘样品：取适量配好的真空胶，用牙签涂抹至样品台上，随后将单晶样品轻轻放在胶上，注意按照晶体结构选择合适的晶面与方向。如若晶体较小可以在光学显微镜下进行操作。随后在加热台上以120℃加热至胶凝固。
5.粘陶瓷棒：取清洗过的合适尺寸合适长度的陶瓷棒，用同样的方法垂直粘在样品的上方。如果样品为长条状也可跳过此步，在下一步中将铜丝直接粘在样品的顶端。同样在120℃下加热至胶凝固。
6.粘铜丝：铜丝的一端粘在样品托上凸台的角落，一端粘在陶瓷棒或长条状样品的顶端，此步骤是为了防止解离下的样品掉落至ARPES腔体中影响设备。粘好铜丝后同样在120℃下加热至胶凝固。粘铜丝的一端银胶尽量滴在凸台的角上，防止往LoadLock和样品架插样品托时插不进去；
7.喷石墨：在粘好样品的样品托表面喷上石墨，随后在120℃下加热30-60min。
薄膜样品准备
为了防止对样品表面被破坏，一般薄膜样品需要通过真空转移箱传递至Load-Lock内，安装真空转移箱及随后的Load-Lock烘烤事宜，需提前联系线站值班人员进行安排。薄膜可以通过高温银胶粘在样品托上或者用Ta丝bonding 。此外，薄膜样品可视情况在真空处理腔内（Sputter腔）或MBE内进行退火处理，但必须事先联系线站值班人员说明并告知薄膜成分，严禁未经允许私自进行往MBE腔体内的传样，严禁任何含有低饱和蒸气压元素的薄膜进入OMBE腔体，如Se, Te等，此类薄膜只能在真空处理腔内进行退火处理
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