能量范围

20-200 eV（LEID）,200-2000 eV（HEID）

能量分辨率

35000 @ 867 eV

偏振

LH/LV/C+/C-

样品处光通量

3.5×10¹¹ phs/s/0.01% BW @ 800eV

样品处光斑尺寸（PEEM）

20 ？m×30 ？m

角分辨光电子能谱（ARPES）

最佳能量分辨率21 meV @ 400 eV

最低温12 K (Carving样品架)

样品处理: 氩刻/高温退火1000℃/K-cell

样品生长表征：MBE+RHEED+LEED

光电子显微镜(PEEM)

分辨范围0.65-100 um

空间分辨率 LEEM 3 nm; PEEM 6 nm(汞灯)/20 nm(X光)

能量分辨率 0.15 eV

备选光源:飞秒激光（波长800/400 nm）/汞灯（4.9eV）

原位处理：氩刻/K-cell/E-beam/ O₂, Ar等气氛

辅助设施

Unilab Pro SP(1250/1000)型手套箱，制备和存放空气敏感样品