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能量范围 |
20-200 eV（LEID）,200-2000 eV（HEID） |
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能量分辨率 |
35000 @ 867 eV |
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偏振 |
LH/LV/C+/C- |
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样品处光通量 |
3.5×1011phs/s/0.01% BW @ 800eV |
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样品处光斑尺寸（PEEM） |
20 ？m×30 ？m |
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角分辨光电子能谱（ARPES） |
最佳能量分辨率21 meV @ 400 eV 最低温12 K (Carving样品架) 样品处理:氩刻/高温退火1000℃/K-cell 样品生长表征：MBE+RHEED+LEED |
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光电子显微镜(PEEM) |
分辨范围0.65-100 um 空间分辨率LEEM 3 nm; PEEM 6 nm(汞灯)/20 nm(X光) 能量分辨率0.15 eV 备选光源:飞秒激光（波长800/400 nm）/汞灯（4.9eV） 原位处理：氩刻/K-cell/E-beam/ O2, Ar等气氛 |
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辅助设施 |
Unilab Pro SP(1250/1000)型手套箱，制备和存放空气敏感样品 |