XIL技术是利用两束或多束相干X射线的干涉条纹来获得用户所需要的纳米周期结构的光刻技术。需指出的是，我们所获得的干涉条纹都是在“光刻胶“这一特定物质上实现的。用户在特定衬底上所需的图形结构一般需进行后续的图形转移来完成。

  目前我们采用的实验方法有:

  两光栅/多光栅干涉:主要在光刻胶上获得一维线性周期结构和二维周期点阵或孔洞结构,目前可实现的图形周期范围70nm-1000nm；

    大面积图形拼接:利用曝光样品前的OSA位移拼接台,可实现大面积(厘米量级)图形结构拼接；

    宽带泰保光刻技术:利用光栅的自成像效应,我们在XIL已实现宽带泰保光刻, 目前可实现的二维图形周期范围70nm-1000nm；图形占空比最小可达1:10。