2008年8月8日16:54，上海光源（SSRF）电子储存环第二阶段调束取得重大进展，首次成功实现3.5GeV能量下束流储存（流强为50mA），刷新了先前能量达到3.0GeV的调束记录。

    储存环第一阶段的调束，在使用3套常温高频腔备用方案的情况下，先后取得了3.0GeV调束出光，100mA@3.0GeV、200mA@2.0GeV和300mA@1.5GeV束流储存，束流轨道闭轨校正与轨道慢反馈等重大进展。

    第二阶段调束按照设计方案启用了2套低温超导高频腔，于8月6日零时正式开始向储存环注入束流，仅用了1小时50分钟就实现了单腔工作条件下3.0GeV束流储存，当天20:25流强达到了50mA。8月8日11时开始进行双腔工作条件下的3.5GeV工作模式调试，于当日16:54获得50mA束流储存，进而在8月10日00:23流强达到100mA。目前加速器和光束线前端各系统运行正常，计划再用1个月左右时间完成储存环第二阶段调束的各项任务，达到主要设计指标，为第三阶段安装了插入件之后的最终调束奠定坚实基础。