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上海应用物理研究所超导高频腔研制取得重大进展

2010/07/08 | 【大中小】【打印】【关闭】

日前，由上海应用物理研究所自主研制的500MHz单Cell超导高频腔在上海市低温超导高频腔技术重点实验室顺利完成了首次垂直测试，其性能达到Q0>1E9@7.5MV/m和Q0>4E8@10MV/m，居同类超导腔的国际水平。

这是我国第一个用国产纯铌材料研制的500MHz超导腔，研制过程中，国内首次成功实现了500MHz超导腔的精确加工和电子束焊接工艺、苛刻的表面处理技术、复杂的垂直测试技术等。经4.2K液氦温度下进行的超导高频性能测试，该超导腔工作稳定，真空性能良好，无明显的二次电子发射，未发生失超现象。

这表明我所科研人员通过刻苦攻关，已掌握了500MHz单Cell超导腔的关键技术，标志着我所在超导加速器的核心部件——超导腔的自主研制道路上又迈上了一个新的台阶。