2021年1月18日，上海光源软X射线干涉光刻线站（BL08U1B）用户研发成果“极紫外光刻胶”入选中国科协2020年“科创中国”先导技术榜单，成为先进材料领域10项先导技术之一。研发团队开发出具有国际先进水平和完全自主知识产权的极紫外光刻胶，实现了从材料设计到中试生产的全流程，填补了国内技术空白。标志着我国在高端光刻胶领域已跻身世界先进行列，为国内半导体产业安全、国家经济安全和信息安全提供有力保障。

极紫外光刻胶研发团队由中国科学院化学研究所和中国科学院理化技术研究所共同建立，是国内最早从事极紫外光刻胶研发的专业团队。自从2013年起，一直利用上海光源软X射线干涉光刻线站进行极紫外光刻胶性能检测评估的工作。极紫外光刻胶检测是极紫外光刻胶研发的关键环节，为更好的检测光刻胶的性能，用户团队与上海光源团队通力合作，在原有干涉光刻实验站的基础上完成了光刻胶曝光检测装置和产气测试装置的共同研制，建立起极紫外光刻胶敏感度、分辨率、边缘粗糙度及曝光产气等重要指标检测的完整极紫外光刻胶评估检测平台，在该项成果的研发过程中发挥了重要作用。上海光源在我国今后的极紫外光刻胶研发中继续发挥作用。