XEOL探测的是样品在被X射线激发后，退激发过程中所发出的紫外到近红外波段（200-900nm）的光子。XEOL和TEY结合在研究半导体材料的价带和导带间的信息如带隙，缺陷态及能量转移过程等具有极大的优势。
二维的XEOL-TEY谱图
纳米氧化锌O K edge的PLY谱与TEY吸收谱