纳米自旋与磁学光束线站（BL07U）采用两个并联的椭圆极化波荡器作为光源，光子能量覆盖50～2000eV，包括C, N, O等元素的K边，过渡金属的L边、稀土元素的M边等，光的偏振态可调；采用变包含角变刻线密度的平面光栅单色仪，能量分辨率在常用能段约为10000（E/△E）；有两条分支线，一条分支建有Nano-APRES实验站，另一条建有 Spin-ARPES、矢量磁场和超导强磁场三个实验站。
上海光源BL07U纳米自旋与磁学光束线站包括四个实验站，主要针对特色的角分辨光电子能谱和软X射线磁圆/线二色实验技术。
角分辨光电子能谱（Angle-resolved photoemission spectroscopy, ARPES）的原理是基于光电效应：当X射线照到样品表面，样品内的电子吸收光子能量而逃逸出材料表面，产生光电子。此过程中能量守恒且动量守恒，通过能量分析器可以测量出光电子在空间不同角度的能量和数量，获得材料内部电子的能量、动量等信息。随着用户对同步辐射技术升级的需求，发展特色型的ARPES技术势在必行。Nano-ARPES的核心思路是，将同步辐射光微聚焦至亚微米/百纳米甚至更小光斑，配合高稳定性样品设计及分析器与样品的相对转动，实现具有高空间分辨率的电子结构ARPES测量。基于相关技术对研究如下样品的电子结构具有重要意义：1）晶格三维性强，具有较差解离情况及较多杂乱解离面的样品；2)具有多种解离面，或形成空间相分离的样品体系；3)通过机械剥离，CVD生长等方法获得的小尺寸样品，如纳米片，纳米棒，纳米线等；4）通过微纳加工技术制备的微纳电子学器件等。Spin-ARPES实验站配备了Scienta Omicron DA30L能量分析器及自研的新一代VLEED反射图像型电子自旋分析器，可研究电子自旋的关联相互作用和自旋轨道耦合作用，是世界所有同类实验装置中效率最高的。
同时, BL07U还包含两个用于测量软X射线磁二色谱的实验站:八极电磁铁实验站和超导强磁场实验站。两个实验站都能给样品提供原位低温和磁场，可以测量高信噪比的软X射线近边吸收谱和磁圆/线二色谱。磁二色谱具有元素选择性，能区分自旋磁矩和轨道磁矩对磁性的贡献，是研究磁学和自旋电子学的一种无法替代的手段。
• 材料科学 (磁学，磁性材料及器件，纳米材料，表面物性，超导电性，高温超导，
• 关联电子谱 (低维材料及器件，拓扑材料，电子结构）
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